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Fab / Semiconductor device fabrication

1. 개요

fabrication facility의 준말로 실리콘 웨이퍼 제조 공장을 뜻한다.

반도체 부품(특히 집적 회로)을 생산하는 공장. 컴퓨터스마트폰 등의 핵심 부품(CPU, GPU, RAM 등)을 만든다. 반도체 생산을 위한 팹은 먼지와 소음, 자기장 등으로부터 완벽하게 보호돼야 한다. 공정이 미세화되다 보니 필연적으로 무균 시설이다. 규소 덩어리를 판 형태로 자르고, 잘 연마한 다음 바이러스만큼 작은 회로[1]를 심는 작업을 거친 뒤 테스트하고 출고하는 과정을 거친다.

2. 상세

2.1. 반도체 제조 공정

공정
이름
노드
형태
출시
연도
트랜지스터
인터커넥트
피치
트랜지스터 핀
밀도
게이트 피치
피치
높이
10㎛
정의
1970
6㎛
정의
1974
3㎛
정의
1977
1.5㎛
정의
1982
1㎛
정의
1985
800㎚
정의
1989
600㎚
정의
1994
350㎚
정의
1995
250㎚
정의
1997
220㎚
하프
1999
180㎚
정의
1999
150㎚
하프
2001
130㎚
정의
2001
110㎚
하프
2004
90㎚
정의
2004
80㎚
하프
2006
65㎚
정의
2006
55㎚
하프
2007
45㎚
정의
2007
40㎚
하프
2008
32㎚
정의
2010
28㎚
하프
2012
22㎚
정의
2012
20㎚
하프
2014
14㎚
정의
2014
?
70㎚
56㎚
42㎚
8㎚
42㎚
10㎚
정의
2017
?
48㎚
36㎚
36㎚
?
42㎚
8㎚
하프
2019
7㎚
정의
2018
?
48㎚
28㎚
?
?
?
5㎚
정의
2020
?
42㎚
24㎚
?
?
?
3㎚
정의
?

2.2. 추세

대체로 한 회사 전체를 지칭하기보단 개별시설을 뜻한다. 반도체 회사는 제조 공장을 직접 건설하고 운영할 수도 있지만[2], 때로 제조는 다른 회사에 맡기고 칩 설계만 하기도 한다.[3]

근래의 대부분의 반도체 업계는 이 팹을 갖지 않고 반도체의 설계 및 개발만 한 뒤 팹을 가진 회사에 반도체를 위탁생산하는 팹리스(fabless) 회사로 운영되며, 팹을 가진 파운드리 업체에게 생산을 맡기는 게 보편적이다. 대만TSMC(대만적체전로제조주식유한공사: 台灣積體電路製造公司)가 대표적인 파운드리 업체로 세계 최대 관련 업체로 알려져 있다.

[1] 흔히 x nm 공정이라 부르는 건 FET의 채널 길이가 x nm임을 뜻한다. TSMC의 경우 가장 작은 건 7nm 공정을 쓰는데, 이 정도 크기의 FET가 모여서 회로 하나를 구성하면 수백 nm 정도인 바이러스와 비슷한 크기가 될 것이다.[2] 인텔삼성전자가 대표적이다.[3] AppleNVIDIA, Advanced Micro Devices 등이 있다.