[[파일:CleanRoom_red.jpg]] Fab / Semiconductor device fabrication == 개요 == fabrication facility의 준말로 [[실리콘]] [[웨이퍼]] 제조 공장을 뜻한다. [[반도체]] 부품(특히 [[집적 회로]])을 생산하는 [[공장]]. [[컴퓨터]] 및 [[스마트폰]] 등의 핵심 부품([[CPU]], [[GPU]], [[RAM]] 등)을 만든다. 반도체 생산을 위한 팹은 먼지와 소음, 자기장 등으로부터 완벽하게 보호돼야 한다. 공정이 미세화되다 보니 필연적으로 무균 시설이다. [[규소]] 덩어리를 판 형태로 자르고, 잘 연마한 다음 '''[[바이러스]]만큼 작은''' 회로[* 흔히 x nm 공정이라 부르는 건 FET의 채널 길이가 x nm임을 뜻한다. [[TSMC]]의 경우 가장 작은 건 7nm 공정을 쓰는데, 이 정도 크기의 FET가 모여서 회로 하나를 구성하면 수백 nm 정도인 바이러스와 비슷한 크기가 될 것이다.]를 심는 작업을 거친 뒤 테스트하고 출고하는 과정을 거친다. == 상세 == === 반도체 제조 공정 === ||<|2> 공정[br]이름 ||<|2> 노드[br]형태 ||<|2> 출시[br]연도 ||<-2> 트랜지스터 ||<|2> 인터커넥트[br]피치 ||<-3> 트랜지스터 핀 || || 밀도 || 게이트 피치 || 피치 || 폭 || 높이 || ||<)>10㎛ || 정의 || 1970 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>6㎛ || 정의 || 1974 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>3㎛ || 정의 || 1977 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>1.5㎛ || 정의 || 1982 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>1㎛ || 정의 || 1985 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>800㎚ || 정의 || 1989 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>600㎚ || 정의 || 1994 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>350㎚ || 정의 || 1995 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>250㎚ || 정의 || 1997 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>220㎚ || 하프 || 1999 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>180㎚ || 정의 || 1999 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>150㎚ || 하프 || 2001 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>130㎚ || 정의 || 2001 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>110㎚ || 하프 || 2004 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>90㎚ || 정의 || 2004 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>80㎚ || 하프 || 2006 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>65㎚ || 정의 || 2006 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>55㎚ || 하프 || 2007 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>45㎚ || 정의 || 2007 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>40㎚ || 하프 || 2008 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>32㎚ || 정의 || 2010 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>28㎚ || 하프 || 2012 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>22㎚ || 정의 || 2012 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>20㎚ || 하프 || 2014 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>14㎚ || 정의 || 2014 ||<)>? ||<)>70㎚ ||<)>56㎚ ||<)>42㎚ ||<)>8㎚ ||<)>42㎚ || ||<)>10㎚ || 정의 || 2017 ||<)>? ||<)>48㎚ ||<)>36㎚ ||<)>36㎚ ||<)>? ||<)>42㎚ || ||<)>8㎚ || 하프 || 2019 ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || ||<)>7㎚ || 정의 || 2018 ||<)>? ||<)>48㎚ ||<)>28㎚ ||<)>? ||<)>? ||<)>? || ||<)>5㎚ || 정의 || 2020 ||<)>? ||<)>42㎚ ||<)>24㎚ ||<)>? ||<)>? ||<)>? || ||<)>3㎚ || 정의 || ? ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> ||<)> || === 추세 === 대체로 한 회사 전체를 지칭하기보단 개별시설을 뜻한다. 반도체 회사는 제조 공장을 직접 건설하고 운영할 수도 있지만[* [[인텔]]과 [[삼성전자]]가 대표적이다.], 때로 제조는 다른 회사에 맡기고 칩 설계만 하기도 한다.[* [[Apple]]과 [[NVIDIA]], [[Advanced Micro Devices]] 등이 있다.] 근래의 대부분의 반도체 업계는 이 팹을 갖지 않고 반도체의 설계 및 개발만 한 뒤 팹을 가진 회사에 반도체를 [[위탁생산]]하는 [[팹리스]](fabless) 회사로 운영되며, 팹을 가진 [[파운드리]] 업체에게 생산을 맡기는 게 보편적이다. [[대만]]의 [[TSMC]](대만적체전로제조주식유한공사: 台灣積體電路製造公司)가 대표적인 파운드리 업체로 세계 최대 관련 업체로 알려져 있다. [[분류:컴퓨터]][[분류:반도체]]